全国产化芯片找射频易商城！ 2-6G，功率放大器芯片

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      丽芯微电 lxsoc.com 基于于III-V族半导体工艺，设计研发性能优异的射频微波MMIC芯片，提供面向微波收发、信号选择、信号幅相控制、多功能芯片等相关应用和系统、分系统一体化解决方案。主要产品包括：限幅器、低噪声放大器、功率放大器、开关、混频器、检波器、移相器、衰减器、滤波器、射频多功能芯片等，性能优异，质量可靠、芯片制程渠道稳定可靠可控。要省心 找丽芯！

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丽芯微电 LXA2003 GaAs功率放大器 芯片

LXA2003 是一款功率放大器芯片（Die)，工作频率2-6GHz，小信号增益23dB，输入/输出50Ω匹配良好。芯片通过背面通孔接地，采用＋5V单电源供电，静态工作电流1200mA。芯片背面进行了金属化处理，适用于共晶焊接或导电胶粘接工艺。

电气性能参数 ：

频率范围：2- 6 GHz

小信号增益：23 dB

增益平坦度：± 1 dB

饱和输出功率：35 dBm

输入回波损耗：10 dB

输出回波损耗：10 dB

噪声系数：- dB

静态电流：1200 mA

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进入 80 年代， 由于分子速外延技术和有机金属化学沉积技术的发展， 超薄外延层的厚度及杂质浓度得以精确控制， 使异质结器件迅速发展， 由 ALGaAs/GaAs 或 InP/InGaAs 组成的异质结双极晶体管(HBT) 相继研制成功， 采用这些器件设计射频功率放大晶体管， 使射频放大器的工作频率达到毫米波频段； 到 90 年代， 激增了多种新型固态器件， 如高电子迁移管(HEMT) ， 假同晶高电子迁移管(PHEMT) ， 异质结场效应管(HFET) 和异质结双极管(HBT) ， 同时使用了多种新材料如 Inp、 Sic 及 CaN 等。 这些器件能够对 100GHz 乃至更高频率的信号进行放大， 而且在多数情况下可以运用 MMIC 技术。